創意HBM4矽智財投片 採台積電N3P製程

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(中央社記者張建中新竹2日電)特殊應用晶片(ASIC)廠創意電子今天宣布,成功完成HBM4控制器與實體層(PHY)矽智財(IP)的投片,晶片採用台積電N3P製程技術,並結合CoWoS-R先進封裝技術實現。

創意電子透過新聞稿表示,HBM4 IP支援12Gbps的數據傳輸速率,透過創新的中介層(interposer)布局設計,優化信號完整性(SI)與電源完整性(PI),確保HBM4在各類CoWoS技術下皆能穩定運行於高速模式。

相較於HBM3,創意指出,HBM4 PHY的頻寬提升2.5倍,並有效降低功耗,面積效率提升2倍。

創意表示,將延續與proteanTecs在高頻寬記憶體(HBM)、GLink與通用小晶片互連(UCIe)IP的技術合作,HBM4 IP亦整合了proteanTecs的互連監測解決方案,提供HBM連線訊號的可觀測性與電氣特性分析,進一步提升終端產品的實際運行效能與可靠度。

創意指出,這成果進一步強化創意在先進IP領域的布局,將HBM4納入HBM3、HBM3E、32Gbps UCIe-A及UCIe-3D IP等解決方案之列,構成完整的2.5D與3D解決方案,為客戶提供強大支援,以應對AI、高效能運算(HPC)等應用需求。

創意總經理戴尚義說,將持續致力於提供2.5D和3D IP與服務。透過整合HBM4、UCIe-A與UCIe-3D IP,創意為半導體產業提供全面性的解決方案,以滿足市場不斷演進的需求。(編輯:張均懋)1140402