（中央社記者許秩維台北14日電）國立台灣師範大學物理學系和美國加州理工學院合作開發新技術，實現僅0.65奈米厚量子記憶材料，具非揮發性記憶特性且能在極低溫下穩定運作，為量子記憶體應用提供新可能性。
台師大今天發布新聞稿表示，物理系教授陸亭樺和藍彥文、博士後研究員張文豪、博士生郝篤行與美國加州理工學院教授葉乃裳合作突破量子記憶體應用新技術，研究成果2024年12月發表於期刊「先進材料（Advanced Materials） 」，為全球量子科技及半導體產業提供嶄新發展方向。
研究團隊設計特殊場效電晶體結構，在超低溫和高磁場環境下，發現巨大電滯現象，表現出類似鐵電材料「蝴蝶型滯後」曲線；這項技術解決傳統鐵電材料在縮小到奈米尺度後無法保持電極化難題，實現僅0.65奈米厚量子記憶材料，具非揮發性記憶特性且能在極低溫下穩定運作。
研究發現磁場誘發的非對稱晶格膨脹，破壞單層二硫化鉬鏡像對稱性，導致類鐵電極性有序產生，提供全新方法操控單層材料物理特性，開啟在極低溫非揮發性記憶體、超靈敏磁場感測器與奈米電子元件等技術應用上無限可能性。
研究團隊表示，材料有巨大應用潛力，特別是在量子記憶體領域，由於在低溫環境下仍能穩定保持電極化，這項技術為量子記憶體和記憶體內計算技術的實現提供新思路和可能性，未來這種新型記憶材料可能進一步縮小尺寸，提升儲存容量和運算速度，在量子計算領域突破。（編輯：李明宗）1140114
