（中央社記者鍾榮峰台北19日電）中國晶盛機電日前宣布首顆8吋N型第三代半導體碳化矽晶體出爐，加上全球主要大廠布局8吋碳化矽基板腳步積極、競爭激烈，台廠正急起直追拚8吋碳化矽長晶晶圓。
中國積極布局第三代半導體碳化矽（SiC）基板，晶盛機電日前在官網宣布，12日首顆8吋N型碳化矽晶體出爐，晶坯厚度25mm，直徑214mm，並破解碳化矽元件成本中基板占比過高的難題。亞系外資法人報告指出，這代表中國廠商在大尺寸碳化矽晶體研發取得突破。
產業人士分析，碳化矽基板製造關鍵難度在於長晶，高硬度、高脆性、低斷裂韌性的碳化矽晶圓，製造技術門檻高，包括對氣流、高溫製程等控制，其中長晶爐是攸關基板生長品質的重要環節，高溫製程所需的硬式遮罩層製程也是關鍵。
台灣廠商也加速布局碳化矽產品，例如台亞半導體子公司積亞半導體，將斥資新台幣45億元在竹科導入先進設備與智慧化生產系統，投入碳化矽半導體功率元件生產。
盛新材料日前透露，7月起研發8吋碳化矽晶圓，預計3年後2025年可有明顯成果，盛新材料與母公司廣運集團也合作開發8吋碳化矽長晶爐設備，盛新預估到明年長晶爐建置規模可到65台。
全球主要大廠布局8吋碳化矽晶圓和基板腳步相當積極，例如Cree全資子公司Wolfspeed投入10億美元建設8吋新廠，今年5月初宣布投產；Soitec於3月已啟動新晶圓廠建設計畫，主攻6吋和8吋第三代半導體晶圓製造，預計2023年下半年投產，5月初Soitec已公布首款8吋碳化矽SmartSiC基板。
法人指出，羅姆旗下SiCrystal預計明年開始量產8吋碳化矽基板、2025年量產8吋碳化矽元件；Ⅱ-Ⅵ在去年4月宣示未來5年內碳化矽基板的生產能力提高5至10倍，包括量產8吋碳化矽基板。
另外，包括英飛凌（Infineon）、意法半導體（STM）、安森美（On Semi）等大廠，也積極布局8吋碳化矽晶圓生產線。
觀察應用在電動車和軌道交通的導電型碳化矽基板市場，法人引述數據指出，去年Wolfspeed占導電型碳化矽基板市場比重高達62%，Ⅱ-Ⅳ、SiCrystal、SK Siltron 市占率分別是14%、13%、5%；中國天科合達（870013.OC）占比約4%。（編輯：蘇志宗）1110819
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