（中央社記者鄭鴻達台北14日電）經濟部技術處今天展示科技專案成果，由工研院與台積電共同開發出世界最快的第3代磁性記憶體，具高運算與低耗能等特性，效能領先韓國三星20%，可望成為協助台積電在下世代和三星競爭的新利器。
技術處發布新聞稿表示，今天起在SEMICON Taiwan共展出33項創新技術，其中最吸睛的，就是由科技專案支持下，工研院攜手台積電等大廠，所完成的世界最快SOT-MRAM（自旋軌道扭矩磁性記憶體）陣列晶片。
技術處說明，新開發出的第3代磁性記憶體，可達成0.4奈秒高速寫入、7兆次讀寫之高耐受度，效能領先韓國大廠20%，而這個新興磁性記憶體技術平台，效能超韓趕美，若布局在車用市場，潛力無窮。
技術處說明，此平台致力打造國內唯一磁性記憶體驗證試量產平台與生態系，開發出的第3代SOT-MRAM技術，更是首獲美國國防部出資合作開發下一代磁性記憶體技術。
技術處長邱求慧說明，有別於傳統動態隨機存取記憶體（DRAM），第3代SOT-MRAM不但具備高運算力、低耗能、高耐受度等特性，還可整合成先進製程嵌入式記憶體，克服IC設計時兩顆分開的晶片間，會有傳輸速度變慢、耗能變高的挑戰。
邱求慧指出，這個第3代磁性記憶體技術，能成為協助台積電等大廠，與三星等國際大廠競爭的利器，在智慧手錶等穿戴式裝置、AI、車用電子、高效能運算晶片等領域，都極具前景與市場應用潛力。
邱求慧說，隨著AI、5G與AIoT科技加速發展，半導體已廣泛應用到高階通訊、功率元件、光電應用等領域，因此經濟部自2019起投入逾新台幣200億元，支持產業研發創新技術、鼓勵法人研發突破性技術，衍生新創公司以創造新興產業。
技術處表示，這次科技專案成果主題館亮點技術，還包括充電樁與車載充電器用碳化矽功率模組、氮化鎵射頻高電子遷移率電晶體、半導體2奈米GAA製程前段X光量測技術，以及即時裸視3D服務系統等。（編輯：潘羿菁）1110914
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